三星野心勃勃！未来五年将在芯片等战略领域投入 3600 亿美元

5 月 24 日周二，三星电子表示，未来五年内将投资 450 万亿韩元（约 3600 亿美元），以加速半导体、生物制药和其他下一代技术的发展，应对日益严重的经济和供应冲击。

该集团在声明中表示，80% 的投资（360 万亿韩元）将用于韩国国内，其余将投向海外。目前，三星集团旗下的三星电子正在美国德克萨斯州建造一座耗资 170 亿美元的先进芯片工厂。上周，美国总统拜登访问韩国时在三星电子副会长李在镕陪同下参观了该公司一家最先进的芯片制造工厂。

新一轮的投资计划包含了三星于 2021 年 8 月做出的 240 万亿韩元（约 2050 亿美元）投资承诺。华尔街见闻提及，三星 2021 年制定的新三年投资计划较 2018 至 2020 年间大幅提升，芯片、医疗和电动车等前沿领域为该计划的重点发力方向。

三星在声明中还表示，这笔高额投资将直接创造 8 万个就业岗位，主要集中于半导体和生物制药领域。作为韩国最大的企业集团，拥有三星电子和三星生物制剂等子公司的 “三星帝国” 是韩国经济的重要支撑。

值得注意的是，本次公告中，三星在并未将电动汽车电池当做未来的增长引擎。

周一，三星电子收于 66500 韩元，今年以来股价已下跌了超 15%。

芯片业务赶超台积电？

作为目前全球第二大的芯片供应商，三星一直在致力于提升自己的行业地位。在台积电 3nm 先进制程进展顺利、英特尔代工业务持续推进的背景下，此番斥巨资加强芯片领域的投资，有望令三星在激烈的芯片竞争格局下保持竞争力。

值得一提的是，启用 GAA 技术打造 3nm 节点的三星，抢先台积电于 5 月 23 日首次公开了 3nm 工艺制造的 12 英寸晶圆。作为一种可显著增强晶体管性能的技术，GAA 技术是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥 - 通道场效应管），主要取代 FinFET 晶体管技术。

由于台积电的 3nm 工艺不会采取该技术，因此，三星在 3nm 节点上的表现也是决定三星能否在芯片工艺赶超台积电的关键。